DI050P02PT
规格
- 安装类型 Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- FET Type P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs（最大） ±12V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V
- 供应商设备包 8-QFN (3x3)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 102 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 35.7W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4596 pF @ 10 V