DI022P06D1
规格
- 安装类型 Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- FET Type P-Channel
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商设备包 TO-252 (DPAK)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 35 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 43W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 10A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2098 pF @ 30 V