TK042N65Z5,S1F(S
Номер детали:
TK042N65Z5,S1F(S
Категория продукта:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание:
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Рабочая Температура 150°C
- Пакет устройств поставщика TO-247
- Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 27.5A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 2.85mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6280 pF @ 300 V