RN49A1(TE85L,F)
Номер детали:
RN49A1(TE85L,F)
Категория продукта:
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание:
PNP + NPN BRT Q1BSR=2.2KOHM Q1BE
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Нет
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Power - Max 200mW
- Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
- Пакет устройств поставщика US6
- Frequency - Transition 200MHz, 250MHz
- Resistor - Base (R1) 2.2kOhms, 22kOhms