RN4985FE,LF(CT

RN4985FE,LF(CT

Номер детали: RN4985FE,LF(CT
Категория продукта: Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD
PDF: Данные

Характеристики

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
  • Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Resistor - Base (R1) 2.2kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
  • Frequency - Transition 250MHz, 200MHz
  • Power - Max 100mW
  • Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
  • Пакет устройств поставщика ES6