RN1911FE,LF(CT
Номер детали:
RN1911FE,LF(CT
Категория продукта:
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание:
NPN X 2 BRT Q1BSR=10KOHM Q1BER=I
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Нет
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
- Frequency - Transition 250MHz
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Power - Max 100mW
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Пакет устройств поставщика ES6
- Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Resistor - Base (R1) 10kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V