RN1709JE(TE85L,F)
Номер детали:
RN1709JE(TE85L,F)
Категория продукта:
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание:
NPN X 2 BRT Q1BSR=47KOHM Q1BER=2
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Нет
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Frequency - Transition 250MHz
- Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Power - Max 100mW
- Resistor - Base (R1) 47kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
- Пакет/кейс SOT-553
- Пакет устройств поставщика ESV
- Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)