RN1101MFV,L3XHF(CT

RN1101MFV,L3XHF(CT

Номер детали: RN1101MFV,L3XHF(CT
Категория продукта: Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD
PDF: Данные

Характеристики

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Оценка Automotive
  • Мощность - Макс. 150 mW
  • Квалификация AEC-Q101
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
  • Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
  • Пакет/кейс SOT-723
  • Пакет устройств поставщика VESM
  • Тип транзистора NPN - Pre-Biased
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA