NXH004P120M3F2PTNG
Номер детали:
NXH004P120M3F2PTNG
Категория продукта:
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание:
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Chassis Mount
- Пакет/кейс Module
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Пакет устройств поставщика 36-PIM (56.7x62.8)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 120mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 876nC @ 20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16410pF @ 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 338A (Tj)
- Power - Max 1.1kW (Tj)