IPTC026N12NM6ATMA1
Номер детали:
IPTC026N12NM6ATMA1
Категория продукта:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
TRENCH >=100V
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V, 10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 120 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 88 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-16-2
- Пакет/кейс 16-PowerSOP Module
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 222A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 115A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 169µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6500 pF @ 60 V
- Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 278W (Tc)