IPD70N10S312ATMA2
Номер детали:
IPD70N10S312ATMA2
Категория продукта:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
MOSFET_(75V 120V(
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Квалификация AEC-Q101
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 83µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4355 pF @ 25 V
- Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-11
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 70A, 10V