IMW65R015M2HXKSA1
Номер детали:
IMW65R015M2HXKSA1
Категория продукта:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Through Hole
- FET Type N-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc)
- Power Dissipation (Max) 341W (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 20V
- ВГС (Макс) +23V, -7V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 13mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 79 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2792 pF @ 400 V
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-3-40