IMDQ75R140M1HXUMA1
Номер детали:
IMDQ75R140M1HXUMA1
Категория продукта:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 750 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 20V
- ВГС (Макс) +23V, -5V
- Пакет устройств поставщика PG-HDSOP-22-1
- Пакет/кейс 22-PowerBSOP Module
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 129mOhm @ 4.7A, 20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 1.7mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 351 pF @ 500 V