IMBG65R050M2HXTMA1
Номер детали:
IMBG65R050M2HXTMA1
Категория продукта:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
SILICON CARBIDE MOSFET
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Technology SiCFET (Silicon Carbide)
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 20V
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A (Tc)
- ВГС (Макс) +23V, -7V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 18 V
- Power Dissipation (Max) 172W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 18.2A, 18V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.6V @ 3.7mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 790 pF @ 400 V