IMB2AT110

IMB2AT110

Номер детали: IMB2AT110
Категория продукта: Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Упаковка: Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD
PDF: Данные Данные Данные Данные

Характеристики

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Frequency - Transition 250MHz
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Power - Max 300mW
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
  • Resistor - Base (R1) 47kOhms
  • Пакет/кейс SC-74, SOT-457
  • Пакет устройств поставщика SMT6
  • Тип транзистора 2 PNP - Pre-Biased (Dual)