G220P03D32
Номер детали:
G220P03D32
Категория продукта:
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- Конфигурация 2 P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 3A, 10V
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (3.15x3.05) Dual
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1305pF @ 15V
- Power - Max 30W (Tc)