G180C06Y
Номер детали:
G180C06Y
Категория продукта:
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Упаковка:
-
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
- Пакет/кейс TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Пакет устройств поставщика TO-252-4
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V