G170P02D32
Номер детали:
G170P02D32
Категория продукта:
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Производитель:
Goford Semiconductor
Описание:
MOSFET P+P-CH 20V 20A 15W DFN3*3
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
- Конфигурация 2 P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 6A, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2193pF @ 10V
- Power - Max 15W (Tc)
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (3.15x3.05) Dual