EMD5T2R
Номер детали:
EMD5T2R
Категория продукта:
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Frequency - Transition 250MHz
- Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
- Power - Max 150mW
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Пакет устройств поставщика EMT6
- Тип транзистора 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
- Resistor - Base (R1) 47kOhms, 4.7kOhms
- Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms, 10kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V