EMD30T2R
Номер детали:
EMD30T2R
Категория продукта:
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель:
ROHM Semiconductor
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
- Power - Max 150mW
- Пакет/кейс SOT-563, SOT-666
- Пакет устройств поставщика EMT6
- Resistor - Emitter Base (R2) 10kOhms
- Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
- Frequency - Transition 260MHz
- Тип транзистора 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 30V
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
- Resistor - Base (R1) 10kOhms, 1kOhms