BSC088N15LS5ATMA1
Номер детали:
BSC088N15LS5ATMA1
Категория продукта:
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Описание:
TRENCH >=100V
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Тип монтажа Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
- Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
- Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.7A (Ta), 87A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 46A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 107µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3500 pF @ 75 V