IRF610
부품 번호:
IRF610
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
Vishay / Siliconix
설명:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
패키징:
-
ROHS 상태：
아니요
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(최대) ±20V
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 10V
- 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 공급자 장치 패키지 TO-220AB
- 패키지/케이스 TO-220-3
- Vgs(일)(최대) @ Id 4V @ 250µA
- 드레인-소스 전압(Vdss) 200 V
- Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 140 pF @ 25 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V