IPD70N10S312ATMA2
부품 번호:
IPD70N10S312ATMA2
제품 분류:
단일 FET, MOSFET
제조사:
IR (Infineon Technologies)
설명:
MOSFET_(75V 120V(
패키징:
Tape & Reel (TR)
ROHS 상태：
예스
통화:
USD
PDF：
자료
규격
- 장착 유형 Surface Mount
- 등급 Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(최대) ±20V
- 드레인-소스 전압(Vdss) 100 V
- 구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 10V
- 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 자격 AEC-Q101
- 패키지/케이스 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
- 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 65 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Vgs(일)(최대) @ Id 4V @ 83µA
- 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 4355 pF @ 25 V
- 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3-11
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 70A, 10V