SICW028N120A4-BP
部品番号：
SICW028N120A4-BP
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
Micro Commercial Components (MCC)
説明：
SCHOTTKY DIODES
パッケージ：
-
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Through Hole
- FET Type N-Channel
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-4
- パッケージ・ケース TO-247-4
- Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 16V, 20V
- Vgs (最大) +22V, -5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 40A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ ID 3V @ 15mA
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 168 nC @ 18 V
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 3570 pF @ 1000 V