S2M0160120D
部品番号：
S2M0160120D
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
SMC Diode Solutions
説明：
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Through Hole
- FET Type N-Channel
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 2.5mA
- パッケージ・ケース TO-247-3
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AD
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 20V
- Vgs (最大) +20V, -5V
- Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 196mOhm @ 10A, 20V
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 26.5 nC @ 20 V
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 513 pF @ 1000 V