NXH004P120M3F2PTNG
部品番号：
NXH004P120M3F2PTNG
製品分類：
FET、MOSFETアレイ
製造業者：
Sanyo Semiconductor/onsemi
説明：
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
パッケージ：
Tray
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Chassis Mount
- パッケージ・ケース Module
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- 構成 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- サプライヤーデバイスパッケージ 36-PIM (56.7x62.8)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(th) (最大) @ ID 4.4V @ 120mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 876nC @ 20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 16410pF @ 800V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 338A (Tj)
- Power - Max 1.1kW (Tj)