NXH003P120M3F2PTHG
部品番号：
NXH003P120M3F2PTHG
製品分類：
FET、MOSFETアレイ
製造業者：
Sanyo Semiconductor/onsemi
説明：
ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
パッケージ：
Tray
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Chassis Mount
- パッケージ・ケース Module
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- 構成 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 200A, 18V
- Vgs(th) (最大) @ ID 4.4V @ 160mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1195nC @ 20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20889pF @ 800V
- Power - Max 979W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ 36-PIM (56.7x62.8)