NVMJD010N10MCLTWG
部品番号：
NVMJD010N10MCLTWG
製品分類：
FET、MOSFETアレイ
製造業者：
Sanyo Semiconductor/onsemi
説明：
PTNG 100V N-CH LL IN LFPAK56 DUA
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Surface Mount
- 学年 Automotive
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 資格 AEC-Q101
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- 構成 2 N-Channel
- パッケージ・ケース SOT-1205, 8-LFPAK56
- サプライヤーデバイスパッケージ 8-LFPAK
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.8A (Ta), 62A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ ID 3V @ 97µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.4nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1795pF @ 50V
- Power - Max 3.1W (Ta), 84W (Tc)