NVBG1000N170M1
部品番号：
NVBG1000N170M1
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
Sanyo Semiconductor/onsemi
説明：
SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Surface Mount
- 学年 Automotive
- FET Type N-Channel
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 資格 AEC-Q101
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 20V
- パッケージ・ケース TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Power Dissipation (Max) 51W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ D2PAK-7
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 1700 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A (Tc)
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 14 nC @ 20 V
- Vgs (最大) +25V, -15V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ ID 4.3V @ 640µA
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 150 pF @ 1000 V