MTZJT-779.1B

MTZJT-779.1B

部品番号: MTZJT-779.1B
製造業者: ROHM Semiconductor
説明: DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
パッケージ: -
ROHS状態: はい
通貨: USD

仕様

  • 取付タイプ Through Hole
  • パワー - 最大 500 mW
  • 許容範囲 ±3%
  • 電圧 - ツェナー (公称) (Vz) 9.1 V
  • インピーダンス (最大) (Zzt) 20 Ohms
  • パッケージ・ケース DO-204AG, DO-34, Axial
  • サプライヤーデバイスパッケージ MSD
  • 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr 500 nA @ 6 V