IPTC026N12NM6ATMA1
部品番号：
IPTC026N12NM6ATMA1
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
IR (Infineon Technologies)
説明：
TRENCH >=100V
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (最大) ±20V
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 8V, 10V
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 120 V
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 88 nC @ 10 V
- サプライヤーデバイスパッケージ PG-HDSOP-16-2
- パッケージ・ケース 16-PowerSOP Module
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Ta), 222A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 115A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ ID 3.6V @ 169µA
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 6500 pF @ 60 V
- Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 278W (Tc)