IPP083N10N5XKSA1
部品番号：
IPP083N10N5XKSA1
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
IR (Infineon Technologies)
説明：
TRENCH >=100V
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 6V, 10V
- Vgs (最大) ±20V
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 100 V
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 37 nC @ 10 V
- パッケージ・ケース TO-220-3
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
- Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
- Vgs(th) (最大) @ ID 3.8V @ 49µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A (Tc)
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 2730 pF @ 50 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3mOhm @ 73A, 10V