IPP029N06NXKSA1
部品番号：
IPP029N06NXKSA1
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
IR (Infineon Technologies)
説明：
TRENCH 40<-<100V
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 6V, 10V
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 60 V
- Vgs (最大) ±20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
- パッケージ・ケース TO-220-3
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 66 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 136W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ ID 3.3V @ 75µA
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 5125 pF @ 30 V