IMDQ75R040M1HXUMA1
部品番号：
IMDQ75R040M1HXUMA1
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
IR (Infineon Technologies)
説明：
SILICON CARBIDE MOSFET
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Surface Mount
- FET Type N-Channel
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
- Power Dissipation (Max) 211W (Tc)
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 750 V
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 15V, 20V
- Vgs (最大) +23V, -5V
- サプライヤーデバイスパッケージ PG-HDSOP-22-1
- パッケージ・ケース 22-PowerBSOP Module
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 34 nC @ 18 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 16.6A, 20V
- Vgs(th) (最大) @ ID 5.6V @ 6mA
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1135 pF @ 500 V