IMBG65R015M2HXTMA1
部品番号：
IMBG65R015M2HXTMA1
製品分類：
シングルFET、MOSFET
製造業者：
IR (Infineon Technologies)
説明：
SILICON CARBIDE MOSFET
パッケージ：
Tape & Reel (TR)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Surface Mount
- FET Type N-Channel
- 動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 650 V
- Technology SiCFET (Silicon Carbide)
- パッケージ・ケース TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Power Dissipation (Max) 416W (Tc)
- 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 15V, 20V
- サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-7-12
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115A (Tc)
- Vgs (最大) +23V, -7V
- Vgs(th) (最大) @ ID 5.6V @ 13mA
- ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 79 nC @ 18 V
- 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 2792 pF @ 400 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 64.2A, 18V