FF3MR12KM1HHPSA1
部品番号：
FF3MR12KM1HHPSA1
製品分類：
FET、MOSFETアレイ
製造業者：
IR (Infineon Technologies)
説明：
FF3MR12KM1HHPSA1
パッケージ：
Box
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 取付タイプ Chassis Mount
- パッケージ・ケース Module
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- 構成 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- サプライヤーデバイスパッケージ AG-62MMHB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.44mOhm @ 280A, 18V
- Vgs(th) (最大) @ ID 5.1V @ 112mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 800nC @ 18V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24200pF @ 800V