IPD70N10S312ATMA2
Numéro de pièce :
IPD70N10S312ATMA2
Catégorie de produit :
FET simples, MOSFET
Fabricant :
IR (Infineon Technologies)
Description :
MOSFET_(75V 120V(
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Surface Mount
- Grade Automotive
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) ±20V
- Tension drain-source (Vdss) 100 V
- Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- Qualification AEC-Q101
- Colis/Caisse TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
- Vgs(e) (Max) @ Id 4V @ 83µA
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4355 pF @ 25 V
- Package d'appareil du fournisseur PG-TO252-3-11
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.1mOhm @ 70A, 10V