TK042N65Z5,S1F(S
Número de pieza:
TK042N65Z5,S1F(S
Clasificación de productos:
FET individuales, MOSFET
Fabricante:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción:
650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 10V
- Vgs (máx.) ±30V
- Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 650 V
- Paquete / Estuche TO-247-3
- Temperatura de funcionamiento 150°C
- Paquete de dispositivo del proveedor TO-247
- Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 27.5A, 10V
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4.5V @ 2.85mA
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6280 pF @ 300 V