RN4990(TE85L,F)
Número de pieza:
RN4990(TE85L,F)
Clasificación de productos:
Matrices de transistores bipolares, prepolares
Fabricante:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción:
NPN + PNP BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BE
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
No
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Surface Mount
- Paquete / Estuche 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
- Power - Max 200mW
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Frequency - Transition 250MHz, 200MHz
- Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
- Paquete de dispositivo del proveedor US6
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V