RN4901FE,LF(CT

RN4901FE,LF(CT

Número de pieza: RN4901FE,LF(CT
Clasificación de productos: Matrices de transistores bipolares, prepolares
Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: Sí
Moneda: USD
PDF: Documentación

Especificaciones

  • Tipo de montaje Surface Mount
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Power - Max 100mW
  • Paquete / Estuche SOT-563, SOT-666
  • Paquete de dispositivo del proveedor ES6
  • Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2) 4.7kOhms
  • Frequency - Transition 200MHz, 250MHz