RN1708JE(TE85L,F)
Número de pieza:
RN1708JE(TE85L,F)
Clasificación de productos:
Matrices de transistores bipolares, prepolares
Fabricante:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción:
NPN X 2 BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER=4
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
No
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Surface Mount
- Frequency - Transition 250MHz
- Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
- Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
- Power - Max 100mW
- Resistor - Base (R1) 22kOhms
- Paquete / Estuche SOT-553
- Paquete de dispositivo del proveedor ESV
- Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)