QH8ME5TCR

QH8ME5TCR

Número de pieza: QH8ME5TCR
Clasificación de productos: Matrices FET, MOSFET
Fabricante: ROHM Semiconductor
Descripción: 100V 2A, DUAL NCH+PCH, TSMT8
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS: No
Moneda: USD

Especificaciones

  • Tipo de montaje Surface Mount
  • Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
  • Paquete / Estuche 8-SMD, Flat Lead
  • Technology MOSFET (Metal Oxide)
  • Configuración N and P-Channel
  • Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.5V @ 1mA
  • Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
  • Paquete de dispositivo del proveedor TSMT8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
  • Power - Max 1.1W (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs 202mOhm @ 2A, 10V, 270mOhm @ 2A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 90pF @ 50V, 590pF @ 50V