QH8KE6TCR
Número de pieza:
QH8KE6TCR
Clasificación de productos:
Matrices FET, MOSFET
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
100V 4A, DUAL NCH+NCH, TSMT8
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
No
Moneda:
USD
Especificaciones
- Tipo de montaje Surface Mount
- Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.5V @ 1mA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
- Configuración 2 N-Channel
- Paquete de dispositivo del proveedor TSMT8
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V
- Power - Max 1.1W (Ta)
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 50V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 4A, 10V
- Paquete / Estuche 8-SMD, Flat Leads