NSBC113EPDXV6T1G

NSBC113EPDXV6T1G

Número de pieza: NSBC113EPDXV6T1G
Clasificación de productos: Matrices de transistores bipolares, prepolares
Fabricante: Sanyo Semiconductor/onsemi
Descripción: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Moneda: USD

Especificaciones

  • Tipo de montaje Surface Mount
  • Calificación Automotive
  • Calificación AEC-Q101
  • Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
  • Power - Max 500mW
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
  • Paquete / Estuche SOT-563, SOT-666
  • Paquete de dispositivo del proveedor SOT-563
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
  • Resistor - Base (R1) 1kOhm
  • Resistor - Emitter Base (R2) 1kOhm