IPP020N06NXKSA1
Número de pieza:
IPP020N06NXKSA1
Clasificación de productos:
FET individuales, MOSFET
Fabricante:
IR (Infineon Technologies)
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 6V, 10V
- Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 60 V
- Vgs (máx.) ±20V
- Paquete / Estuche TO-220-3
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
- Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V
- Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 214W (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3.3V @ 143µA
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9750 pF @ 30 V