IMW65R020M2HXKSA1
Número de pieza:
IMW65R020M2HXKSA1
Clasificación de productos:
FET individuales, MOSFET
Fabricante:
IR (Infineon Technologies)
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET
Embalaje:
Tube
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Through Hole
- FET Type N-Channel
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
- Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 650 V
- Paquete / Estuche TO-247-3
- Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 83A (Tc)
- Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 15V, 20V
- Vgs (máx.) +23V, -7V
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 18 V
- Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO247-3-40
- Power Dissipation (Max) 273W (Tc)
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 5.6V @ 9.5mA
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2038 pF @ 400 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 46.9A, 20V