IMBG65R015M2HXTMA1
Número de pieza:
IMBG65R015M2HXTMA1
Clasificación de productos:
FET individuales, MOSFET
Fabricante:
IR (Infineon Technologies)
Descripción:
SILICON CARBIDE MOSFET
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
- Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 650 V
- Technology SiCFET (Silicon Carbide)
- Paquete / Estuche TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Power Dissipation (Max) 416W (Tc)
- Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 15V, 20V
- Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-7-12
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115A (Tc)
- Vgs (máx.) +23V, -7V
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 5.6V @ 13mA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 79 nC @ 18 V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2792 pF @ 400 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 64.2A, 18V