G220P03D32
Número de pieza:
G220P03D32
Clasificación de productos:
Matrices FET, MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET P+P-CH 30V12A 30W DFN3*3-
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Tipo de montaje Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
- Paquete / Estuche 8-PowerVDFN
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2V @ 250µA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- Configuración 2 P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 3A, 10V
- Paquete de dispositivo del proveedor 8-DFN (3.15x3.05) Dual
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1305pF @ 15V
- Power - Max 30W (Tc)