G180C06Y
Número de pieza:
G180C06Y
Clasificación de productos:
Matrices FET, MOSFET
Fabricante:
Goford Semiconductor
Descripción:
MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Embalaje:
-
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
Especificaciones
- Tipo de montaje Surface Mount
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
- Paquete / Estuche TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Paquete de dispositivo del proveedor TO-252-4
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V