DI200N10D2
Número de pieza:
DI200N10D2
Clasificación de productos:
FET individuales, MOSFET
Fabricante:
Diotec Semiconductor
Descripción:
IC
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
No
Moneda:
USD
Especificaciones
- Tipo de montaje Surface Mount
- FET Type N-Channel
- Technology MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (máx.) ±20V
- Drenaje a voltaje de fuente (Vdss) 100 V
- Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado) 10V
- Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
- Paquete / Estuche TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Paquete de dispositivo del proveedor TO-263AB (D2PAK)
- Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 262 nC @ 10 V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 120A, 10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 16800 pF @ 50 V